SMM 1月7日讯：1月7日早间，一则关于“一盒内存条堪比上海一套房”的词条冲上热搜，一时间，关于存储芯片涨价的探讨甚嚣尘上。而2026年开年，存储芯片板块更是国内海外一同大涨，隔夜美股存储板块集体爆发，美光科技涨超10%再创历史新高，SanDisk收涨超27%，西部数据涨超16%创逾五年来最大单日涨幅，希捷科技涨14%。今日开盘之后，存储板块也在连续上涨两个交易日后，于1月7日跳空高开，指数盘中一度上探至2246.67的高位，刷新其板块上市以来的历史新高。

个股方面，恒坤新材、安集科技、普冉股份、金太阳等多股涨逾10%，雅克科技、彤程新材、盈新发展等多股盘中一同封死涨停板。

DRAM价格持续上涨 有人戏称“一盒内存条堪比上海一套房”

消息面上，1月5日，三星、海力士便打响了存储芯片涨价的“第一枪”，据韩国经济日报报道，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。而对于如此的涨价幅度，有半导体行业人士表示，“客户也清楚，三星和SK在短期内很难迅速提升产能。”

市场研究公司DRAMeXchange分析称，“大型客户认为他们完全可以承受AI基础设施所需的支出。他们不太可能强烈反对DRAM价格上涨，因为在这些公司看来，实现基于推理的AI盈利更为重要。”因此，DRAMeXchange将今年一季度服务器用DRAM固定交易价格的涨幅预期上调至60%至65%。

且据公开资料显示，自2025年7月以来，DRAM价格持续快速上行，多数品类涨幅超过100%。PCPartPicker数据显示，DDR4（内存）与DDR5（内存）年内已涨价2-3倍。时代周报记者采访业内人士得知，目前“内存几乎一天一个价”，以256G的DDR5服务器内存为例，单条价格已超过4万元。该业内人士表示，如果一次采购100根256G的DDR5服务器内存，装在一个盒子里，就是400万元，他形容，“价值已经超过上海不少房产。”

据市场研究公司TrendForce 的数据显示，2025年第四季度DDR5 DRAM 芯片的价格比上年同期上涨了314%。其预计，2026年一季度传统DRAM合约价格将较去年四季度上涨55%至60%。

而受存储芯片价格快速增长刺激，市场目前对1月8日全球最大存储芯片制造商——三星电子即将公布的2025年四季度初步业绩的表现充满期待。且据财联社方面消息，因AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮，分析师预计，三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

根据 LSEG SmartEstimate 汇总的31位权威分析师的数据，三星2025年10至12月的营业利润预计将达16.9万亿韩元（约合117亿美元），远高于去年同期的6.49万亿韩元。且由于传统存储芯片价格强于预期，一些分析师最近几周甚至将三星第四季度营业利润的预期上调至20万亿韩元以上。

花旗预计，三星电子今年营业利润将达155万亿韩元，较去年增长253%；摩根士丹利则预计，SK海力士今年营业利润为148万亿韩元，较去年激增224%。

英伟达CEO黄仁勋强调AI系统对内存和存储的需求 美股存储板块应声大涨

此外，黄仁勋作为全球市值最高企业——英伟达的“掌舵人”，其在本周美国拉斯维加斯消费电子展(CES)上的演讲时也再度强调了AI系统对内存和存储的需求，并表示：“这是一个从未存在过的市场，而这个市场很可能成为全球最大的存储市场，基本上承载着全球人工智能的运行内存。”

行业分析师Jake Silverman表示，在人工智能训练和推理需求不断增长的背景下，供应紧张和内存价格飙升正帮助提振存储股。他表示，黄仁勋在CES上的言论“表明英伟达各系统对NAND芯片的需求将保持强劲”。

而受此利好消息提振，美国存储芯片企业闪迪周二飙升了28%，创下自2025年2月以来最佳表现。2026年前三个交易日累计飙升逾47%，自4月22日触底以来更是已暴涨1080%。

据悉，对于DRAM而言，目前内存厂商正侧重生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受积压，供需鸿沟逐渐拉大。同时谷歌和微软等公司正在拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增；正在为客户开发ASIC的博通，也在增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺。

机构预计存储芯片涨价或将贯穿整个2026年

在这种情况下，市场预计存储涨价的趋势或将贯穿整个2026年。目前已有多家投行预测，按全年口径计算，今年服务器DRAM的平均销售价格（ASP）最高将同比上涨144%。

东方证券最新研报也提到，海外存储巨头重点布局HBM，在通用存储方面产能释放可能有限，存储供不应求的情况可能持续较长时间。展望未来，其表示，AI有望从“一次性对话的聊天机器人”演进为理解现实世界、持续推理、调用工具完成任务的智能协作体，而这需要持续扩大上下文容量、加快跨节点共享，从而带动存储芯片需求高速成长。

国金证券表示，在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR416Gb涨幅高达1800%，DDR516Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。2026年全年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价，预计2026年DRAM的位元供应量增幅约为15%至20%，而需求增速预计将达到20%至25%左右。

中信建投证券电子首席分析师刘双锋预计，存储芯片供应短缺将在2026年持续并维持更久，美光为代表的存储IDM厂商将大为受益。

爱建证券指出，2025年四季度存储芯片进入新一轮涨价周期。Micron、Samsung、SK Hynix三大存储巨头陆续上调DRAM及NAND Flash产品合约价，相关现货价格同步持续上扬。复盘历史周期，2016年—2018年的存储芯片涨价由智能手机配置升级直接驱动；2020年—2023年受益于线上经济、居家办公场景拉动PC等终端出货量提升，叠加疫情下产业链囤货需求，推动存储市场阶段性上行。与前两轮周期不同，本轮涨价周期来自于智能手机和服务器的双重需求共振。IPhone在2025年完成存储容量升级后，其内存容量有望在2026年迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续。受益于AI服务器持续高景气叠加iPhone等智能手机存储芯片参数升级周期，存储行业将开启新一轮发展周期，建议关注国产存储产业链上市公司投资机会。

在如此火爆的“存储热”下，市场对国产芯片替代的情况也十分看好。

中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。

东莞证券指出，AI驱动存储行业景气上行，叠加以长鑫存储、长江存储为代表的内资厂商持续进行产能扩充，存储设备需求弹性有望加大。建议关注在细分领域取得领先的半导体设备龙头企业，以及积极布局后道设备，且具有存储高敞口的设备公司。